中国芯片制造突破“卡脖子”技术

中国芯片制造的“卡脖子”技术带来了四个突破。希望日报科技日报报道,武汉国家光电研究中心的一个研究小组采用了两种激光器来突破内部开发的光刻胶的光束衍射极限。从最小分辨率的线宽到9纳米,实现从超分辨率成像到超衍射极限光刻制造的关键创新。

将光催化材料与光致抗蚀剂材料一起使用可对不同波长的光束产生不同的光化学反应,因此可以在第一波长激光束以下固化独立显影的光致抗蚀剂已第二波长,凝结断裂。

第二光调制为空心光(中心光强度为0),并在黎明时使用第二和第一光形成的重合作用在光敏电阻上。

这样,仅第二光束的中空部分的光阻最终硬化,从而打破了远场中的衍射极限。

早在2013年,P。sylvestris小组就对该理论进行了验证,但是却难以将科学验证原型开发为商业工程原型。

据《科学技术日报》报道,棕松设备克服了三个主要问题:材料,软件和组件放置。

我已经开发了多种类型的光保护,定位了原型系统的关键组件,集成了微纳米3D设备结构的设计和制造软件。

Gan Brownsong表示已经打破了对国外3D微纳米光学制造技术的垄断。在这一领域中,从材料和软件到光电机械组件,它不再是双重人类束超衍射受限光刻系统的主题。解决了设备的3D光学制造,未来设备性能和制造速度的进一步提高等关键问题后,有望将该技术应用于IC制造。

光刻设备是集成电路制造过程中的重要组成部分。传统的深紫外(DUV)和远紫外(EUV)光刻设备主要由荷兰ASML公司垄断,属于国内集成电路制造行业的“头”技术。

金松团队缺乏可作为参考的技术,从而在光学制造领域开辟了新天地,打破了国外技术在3D微纳米光学制造领域的垄断。从材料和软件到机械,电气和光学组件,该领域受到其他领域的限制。

在解决诸如制造速度之类的关键问题之后,该技术有望应用于集成电路制造。